우리는 우주의 크기 제한을 향해 천천히 움직이고 있지만 플랑크 크기에 도달하기 전에 몇 가지 더 이동해야 합니다. 이것은 미래의 스마트폰에서 더 작고, 더 빠르고, 더 효율적인 칩을 의미합니다.
양자 물리학을 건너뛰고 뉴스로 바로 가자(아래 설명 섹션에서 플랑크 상수에 대해 자유롭게 논의할 수 있음). TSMC가 로드맵을 발표하여 3nm 및 2nm 칩을 기대할 수 있는 시점을 밝힌 후 이제 삼성은 한국 화성 공장에서 3nm 반도체 칩 생산을 시작한다고 발표했습니다.
삼성은 GAA(Gate All-Around)에서 FinFET(Fin Field-Effect Transistor)로 전환하는 새로운 아키텍처로 전환하고 있습니다. 물리학이 방해가 될까봐 걱정된다면 숨을 고르세요. GAA는 FinFET에 비해 많은 이점을 제공합니다. 주요 이점은 더 높은 전력 효율성입니다.
삼성의 3nm 제조 분야에서 또 다른 신기술은 나노시트 트랜지스터 제조입니다. 이것은 나노와이어 기술을 대체하며 이 경우 다시 효율성과 효율성을 높입니다. 나노시트를 사용하면 나노시트의 크기를 변경하여 이러한 성능 및 성능 매개변수를 보다 쉽게 조정할 수 있습니다.
삼성은 새로운 3nm 노드를 이전 5nm 제조 공정과 비교하는 몇 가지 인상적인 수치를 인용했습니다. 새로운 칩은 23% 향상된 성능, 45%의 전력 소비 감소 및 16%의 면적 감소와 함께 제공되어야 하며 3nm 실리콘의 1세대가 될 것입니다.
2세대는 전력 효율성이 50% 크게 향상되고 성능이 30% 향상되며 설치 공간이 35% 감소합니다. Dr. 삼성전자 파운드리사업본부장 겸 사장. 다음은 Chung Choi의 영감을 주는 짧은 인용문입니다.
삼성은 파운드리 업계 최초의 Hi-K 메탈 게이트, FinFET 및 EUV와 같은 차세대 제조 기술 사용에서 리더십을 지속적으로 입증하면서 빠르게 성장했습니다. 우리는 MBCFETTM으로 세계 최초의 3nm 공정으로 이 리더십을 계속 이어가고 싶습니다. 우리는 경쟁력 있는 기술 개발에 적극적으로 혁신하고 기술 성숙도에 더 빨리 도달하는 데 도움이 되는 프로세스를 개발할 것입니다.
한국 회사는 고객이 칩을 더 빠르고 쉽게 설계할 수 있도록 노력하고 있습니다. 삼성의 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)는 신기술을 사용하여 3nm 칩을 설계하려는 파트너를 돌볼 것입니다.
공장을 떠나는 최초의 3nm 스마트폰 프로세서는 차세대 Exynos 2300(S5E9935 코드명 Quadra)이 될 것입니다. GAA와 3nm로의 도약은 스마트폰 매니아들 사이에서 그다지 인기가 없고 Qualcomm 프로세서보다 뒤쳐지는 Exynos 프로세서를 재조정할 수 있습니다. 삼성은 AMD와 변화를 시도했지만(Exynos 2200은 AMD RDNA 2 아키텍처 기반의 새로운 Xclipse GPU로 무장했습니다) 파트너십은 지금까지 엇갈린 결과를 낳았습니다.
TSMC가 제조 공정의 가격을 인상함에 따라 삼성이 그 측면에서 카드를 어떻게 사용하는지 보는 것은 매우 흥미로울 것입니다. 삼성 공장의 새로운 3nm 노드가 더 저렴해지면 다시 진자를 흔들 수 있습니다. 반면에 Exynos가 탑재된 다음 Galaxy S23은 마케팅에 의미가 없으므로 Qualcomm 변형보다 저렴할 것으로 기대하지 마십시오.
“Kabumseok, who has had a deep interest in culture and the arts since his student days, has a deep understanding of the minutiae of popular culture. He loves beer and shares his deep research and insights, especially on bacon. His adventurous spirit and creativity are unique, and he is sometimes known as a troublemaker.”